柵極驅(qū)動器MF2008SW新電元工業(yè)SHINDENGEN

柵極驅(qū)動器MF2008SW新電元工業(yè)SHINDENGEN

柵極驅(qū)動器MF2008SW

柵極驅(qū)動器MF2008SW概要：

隨著電子設備的功能強化、功能集成和多功能化，功耗也不斷增加。傳統(tǒng)ECU輸入端的逆接保護和防止逆電流用元器件使用二極管，但是存在電流增加導致功率損耗和發(fā)熱增加的課題。因此作為替代器件，對“理想二極管"的需求越來越高。這些器件需在裝置處于省電狀態(tài)或輕負載狀態(tài)下也能穩(wěn)定防止逆電流，因此對可靠性的要求更高。

為了滿足這樣的需求，新電元工業(yè)公司推出了High-side Nch-MOSFET柵極驅(qū)動器IC“MF2008SW"。本產(chǎn)品與Nch-MOSFET組合，可作為理想二極管使用。 通過在前代產(chǎn)品※1中引入正向控制，可在逆電流流過之前將Gate關(guān)斷，在輕負載狀態(tài)下也能防止逆電流。另外，與傳統(tǒng)二極管相比※2，可降低約72％的功耗和約51％的溫升※3，因此有助于車載產(chǎn)品等需要逆接和逆電流保護的設備實現(xiàn)小型化和低功耗化。另外，與兩個Nch-MOSFET組合，還可作為雙向?qū)ǖ陌雽w繼電器使用。與傳統(tǒng)的機械式繼電器相比，可將響應時間縮短至約1/1000，并可減少約96％的貼裝面積，有助于實現(xiàn)小型化和高速響應。

特點：

正向控制功能。【VIN】-【OUT】<30mV時停止升壓，【VIN】-【OUT】>45mV時重啟升壓，以此來控制外置NchMOSFET的VDS電壓。

在逆電流流過之前實現(xiàn)Gate關(guān)斷。

降低功耗。作為理想二極管使用時，與傳統(tǒng)二極管相比，可降低約72％的功耗。

抑制溫升。作為理想二極管使用時，與傳統(tǒng)二極管相比，可抑制約51％的溫升。